碳化硅龙头，进军金刚石!
9月11日，天岳先进举行2026年半年度业绩说明会。公司董事长、总经理宗艳民在会上透露，公司“金刚石单晶制备与衬底表面精细加工”项目已进入样品阶段。
项目开展单晶金刚石生长和衬底加工研究，采用MPCVD方法生长金刚石单晶，以激光切割和分步加工方法实现衬底加工，满足散热材料和金刚石器件开发的应用需求。
根据8月19日，天岳先进发布的2026年半年度报告，上述项目总投资700万元，报告期投入60.94万元，累计投入536.90万元，目前仍处于研发阶段。
项目数量调整：从两个金刚石项目收缩为一个
从时间脉络看，天岳先进对金刚石的布局已持续推进两年多。2025年4月，公司全资子公司上海天岳半导体集中公布5项金刚石相关专利，涵盖一种热导率高且透光性好的金刚石多晶衬底及应用、一种制备碳化硅-金刚石复合衬底的方法、一种碳化硅-金刚石复合衬底及应用等。 2026年3月，公司在《2026年度提质增效重回报行动方案》中提及，在“金刚石和氧化镓产品等关键技术领域取得重大突破”。 2026年5月，上海天岳半导体公开“一种金刚石晶体及其生长沉积装置与生长方法”专利，通过主动调节表面与钼托边缘高度的结构抑制晶体生长的“边缘效应”，晶体总位错缺陷密度低于10⁵/cm²，应力绝对值低于20 MPa。 从投入规模看，天岳先进的金刚石布局尚未进入产能建设阶段。财务数据显示，天岳先进2026年上半年营业收入9.14亿元，同比增长15.10%，但归母净利润为-5861.66万元，经营活动现金流净额为-2.03亿元。在碳化硅主业仍需产能爬坡、折旧压力尚待摊薄的背景下，公司对金刚石保持“研发投入、不建产能”的策略，并不意外。 与之形成对照的是，国内超硬材料企业的金刚石散热布局已进入产线和批量供货阶段。 黄河旋风近年来已将半导体散热确立为战略转型方向，同步推进单晶、多晶金刚石两条技术路线。2026年2月，国内首条8英寸金刚石热沉片生产线正式投产，一期投资3.6亿元，配置50台MPCVD设备，规划年产2万片大尺寸金刚石热沉片，产品覆盖2至8英寸，并包括0.1至1毫米金刚石热沉片。公司计划未来3年投资20亿元，逐步配置300台MPCVD设备，最终形成15万片大尺寸金刚石热沉片年产能。 相关阅读：3亿元、4.5亿克拉，金刚石龙头再扩产 力量钻石2026年6月公告变更募集资金用途，将原本用于培育钻石扩产的10.28亿元募资投向金刚石功能材料（半导体散热）领域。 相关阅读：金刚石项目建设提速，400余台设备招标启动，力量钻石加码高端功能材料布局 四方达子公司天璇半导体投资4.5亿元在新疆沙雅建设年产2.5万片金刚石散热晶圆产线，预计2027年一季度投产。 惠丰钻石拟在包头投资10亿元建设CVD金刚石项目，一期拟安装500台MPCVD设备。 超硬材料企业多从人造金刚石产能出发，向热沉片、散热晶圆等下游制品延伸，逻辑是利用既有材料能力对接AI服务器、光模块、IGBT、高功率激光器等新增需求。 天岳先进的路径不同——它建立在碳化硅衬底的产业化和客户能力之上。碳化硅衬底仍是天岳先进当前的核心业务。据日本富士经济2026年3月发布的行业报告，2025年全球导电型碳化硅衬底市场中，天岳先进整体市占率达27.6%，位居全球第一，其中8英寸产品市占率达51.3%。 综合来看，天岳先进的金刚石布局仍处于研发和样品阶段，尚未进入产能建设。两条路径起点不同，但都指向同一个方向——随着AI算力、先进封装和高功率器件持续发展，金刚石的热导率优势正使其成为高功率芯片热管理的重要候选材料。 参考信息：本文部分素材和图片来自及网络公开信息，本平台发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。如果有任何问题，请联系我们处理。值得注意的是，天岳先进金刚石在研项目的数量出现了调整。
2025年半年报中，公司曾同时披露两个金刚石相关在研项目：一是“金刚石单晶制备与衬底表面精细加工”，总投资700万元；二是“金刚石衬底材料研发及应用”，总投资约1686.57万元，目标为突破大尺寸、高质量金刚石衬底生长关键技术，推动金刚石在高功率电子器件、光学窗口等领域的应用。而在2026年半年报中，后者未再出现。